vacuum chamber for crystal growing systems

Forni sottovuoto per sistemi di crescita del cristallo / Realizzati in acciaio inossidabile di alta qualità

Per i processi ad alta temperatura per la crescita dei cristalli nell'industria dei semiconduttori sono necessarie camere a tenuta di vuoto con superfici interne lucidate a specchio in acciaio inossidabile di alta qualità. Tutte le fonti di contagio metallico della fusione e del cristallo in crescita sono ridotte ad un livello minimo assoluto grazie alla selezione ottimizzata del materiale, dalle procedure di produzione e dall'efficacia del raffreddamento della camera. Tutte le parti della camera sono a doppia parete per un sistema di raffreddamento ad acqua. Per la crescita di un cristallo di silicio con il metodo Czochralski, ad esempio, il silicio richiesto viene fuso nella camera di processo a 1450°C.

Il processo Czochralski (Cz) è anche conosciuto come " crystal pulling " o " pulling from the melt ". In questo processo, il silicio (Si) viene prima fuso e poi lasciato congelare in uno stato cristallino in modo controllato.

 

 

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Caratteristiche tecniche principali

Una tipica camera di processo CZ raffreddata ad acqua è costituita da un insieme di componenti: una camera di base, una camera-forno, una valvola a saracinesca e una colonna di ricezione.

Le flange di processo e per il vuoto, i passanti elettrici e le porte a vista sono adattati alle camere secondo le specifiche richieste.

Diametro interno: Fino a 1.350 mm
Altezza interna: Circa 2,215 mm
Materiale: Acciaio inossidabile di alta qualità
Superficie interna: Rz ≤ 2,5

 

 

Settori di applicazione

Le camere sottovuoto sono utilizzate principalmente per i seguenti sistemi:

  • Metodo Czochralski (CZ)
  • Metodo ‘’Float Zone’’(FZ)
  • Deposizione di vapori chimici ad alta temperatura (HTCVD)
  • Metodo di congelamento verticale a gradiente (VGF)

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